Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLI620G

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLI620G

IRLI620G Hakkında

IRLI620G, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 200V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 30W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. ±10V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, 800mΩ maksimum kanal direnci (5V gate geriliminde, 2.4A dren akımında) sunar. 16nC gate yükü ve 360pF giriş kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.4A, 5V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok