Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLI610ATU
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLI610
IRLI610ATU Hakkında
IRLI610ATU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile 3.3A sürekli dren akımı yeteneğine sahip bu bileşen, 5V gate sürüş voltajında 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine ulaşır. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 9nC gate charge ve 240pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Yüksek gerilim anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok