Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLI530NPBF

MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLI530N

IRLI530NPBF Hakkında

IRLI530NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 100mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 41W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde çeşitli ortamlarda güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok