Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLI520N

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLI520N

IRLI520N Hakkında

IRLI520N, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 8.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 180mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük kayıp uygulamaları destekler. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 30W güç dağıtım kapasitesi ve 20nC gate charge özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde kullanım için uygundur. ±16V maksimum gate-source gerilimi ve 2V threshold gerilimi ile sürücü devre tasarımında esneklik sağlar.Through-hole montaj türü nedeniyle konvansiyonel PCB uygulamalarında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok