Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLHM630TRPBF

MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRLHM630

IRLHM630TRPBF Hakkında

IRLHM630TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. 3.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-VQFN (3x3) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 4.5V gate drive geriliminde optimal performans gösterir ve düşük gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok