Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-VQFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLHM630
IRLHM630TR2PBF Hakkında
IRLHM630TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak voltajı (Vdss) ve 21A sürekli dren akımı (Id @ 25°C) ile tasarlanmıştır. 3.5mΩ düşük on-resistance (Rds(on)) özelliği sayesinde güç kaybını minimize eder. 62nC gate charge ve 3170pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Surface mount 8-VQFN PQFN (3x3) pakete yerleştirilmiş olup, açığa çıkarılmış pad tabanlı tasarımı ısı yönetimini iyileştirir. Düşük voltajlı DC-DC dönüştürücülerde, batarya yönetimi sistemlerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok