Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IRLHM620

IRLHM620TRPBF Hakkında

IRLHM620TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 26A (Ta) / 40A (Tc) drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. Surface mount PQFN (3x3) pakette sunulan bu transistör, DC-DC konvertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 37W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3620 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok