Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLHM620TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Paket/Kılıf
8-VQFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRLHM620

IRLHM620TR2PBF Hakkında

IRLHM620TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source geriliminde 26A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.5mΩ @ 20A, 4.5V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-VQFN (3x3mm) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Switch-mode güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge 78nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3620 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok