Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLH5036TR2PBF

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRLH5036

IRLH5036TR2PBF Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRLH5036TR2PBF, 60V drain-source gerilim değerine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 4.4mOhm on-state direnç ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount paketi (8-PQFN 5x6) ile kompakt tasarım sağlar. Gate charge değeri 90nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. DC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. 2.5V gate threshold voltajı ile düşük sinyal seviyeleriyle çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok