Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLH5030
IRLH5030TRPBF Hakkında
IRLH5030TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 13A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 9mOhm on-state direnç (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-PowerVDFN (5x6mm) yüzeye monte paketinde sunulur. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5185 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok