Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLD120
IRLD120PBF Hakkında
IRLD120PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.7mm DIP paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (270mOhm @ 5V, 780mA) sayesinde sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer bulur. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığı ve ±10V gate gerilim toleransı, endüstriyel ve otomotiv ortamlarında güvenilir çalışma sağlar. 12nC gate charge ve 490pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok