Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLD120
IRLD120 Hakkında
IRLD120, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj derecesi ve 1.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4DIP (Through Hole) kılıfında sunulan bu bileşen, 270mOhm maksimum Ron değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge 12nC (5V) ve input capacitance 490pF (25V) olup, kontrol devrelerinde ve ayrık transistör uygulamalarında kullanılır. ±10V gate-source voltaj sınırlaması vardır. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok