Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLD110
IRLD110 Hakkında
IRLD110, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 540mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Through-hole 4-HVMDIP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve düşük güçlü dijital lojik arayüzlemesinde kullanılır. Maksimum ±10V Gate-Source gerilimi ile korunmalı tasarım sunar. En fazla 1.3W güç tüketebilir ve 6.1nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok