Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLD024
IRLD024PBF Hakkında
IRLD024PBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarda kullanılır. 100mOhm (5V, 1.5A'de) on-state direnci sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Through-hole 4-HVMDIP kütüphanesi ile standart PCB'lere monte edilebilir. Gate eşik voltajı 2V'de 250µA akımda tetiklendiğinde hızlı yanıt süresi gösterir. Motor kontrolleri, solenoid sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 5V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok