Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLD024

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRLD024

IRLD024 Hakkında

IRLD024, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. ±10V gate voltaj aralığında çalışan bu bileşen, düşük gate charge gereksinimi (18nC) sayesinde hızlı komütasyon sağlar. Through-hole 4-HVMDIP paketinde sunulan IRLD024, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok