Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRLD014

IRLD014PBF Hakkında

IRLD014PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V maksimum Drain-Source gerilimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.7A sürekli dren akımı kapasitesi ve 200mOhm (5V, 1A'de) RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, kontrol uygulamalarında ve küçük güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Through-hole 4-HVMDIP paketi ile geleneksel PCB montajına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve gemi uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 5V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok