Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRLD014

IRLD014 Hakkında

IRLD014, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 200mOhm (5V, 1A'da) on-resistance değeri ile güç kaybı minimize edilmiş, düşük sıcaklık katsayısına sahip bir bileşendir. 4DIP through-hole paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate kapasitansi 400pF (25V'da) ile hızlı komutasyon sağlar. Lojik seviyesi 5V uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 5V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok