Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLBD59N04ETRLP
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLBD59N04E
IRLBD59N04ETRLP Hakkında
IRLBD59N04ETRLP, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 59A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-5 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulur. 18mOhm maksimum on-resistance değeri ile güç elektronikleri uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve diğer yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. 50nC gate charge ve 2190pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün statüsü kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete), alternatif seçenekler dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok