Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLB3813PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLB3813
IRLB3813PBF Hakkında
IRLB3813PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 260A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. TO-220-3 paketi ile dönerli (through-hole) montaja uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 230W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici elektroniği cihazlarında güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8420 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok