Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL8113STRRPBF

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL8113

IRL8113STRRPBF Hakkında

IRL8113STRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 105A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç karakteristiği gösterir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 110W güç yayınlayabilir. Hızlı anahtarlama, düşük gate charge (35nC) ve optimum RDS(on) değerleri sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok