Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL8113S
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL8113S
IRL8113S Hakkında
IRL8113S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 105A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (6mOhm @ 10V) ile yüksek anahtarlama hızında çalışır. D2PAK yüzeye monte paketinde sunulan IRL8113S, anahtarlamaya dayalı güç uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 110W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 35nC olup, hızlı komutasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok