Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL8113PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL8113
IRL8113PBF Hakkında
IRL8113PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 105A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 6mOhm on-state direnci (10V, 21A şartlarında) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel denetim, motor sürücü devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 110W maksimum güç yayılımı toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok