Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL80HS120
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL80HS120
IRL80HS120 Hakkında
IRL80HS120, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 12.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 32mΩ maksimum on-dirençi (Rds On @ 10V) ile verimliliği artırır ve ısı kaybını azaltır. 6-VDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde geniş ortam koşullarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 11.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok