Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL7833PBF

MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRL7833

IRL7833PBF Hakkında

IRL7833PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 150A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (3.8mOhm @ 10V) ile yüksek verimlilik sunmaktadır. TO-220-3 paketinde sunum yapan komponent, -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 140W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve yük anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate-source voltajı ±20V aralığında çalışabilen transistör, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli DC-DC dönüştürücülerde tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4170 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok