Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL7472L1TRPBF
IRL7472L1 - 12V-300V N-CHANNEL P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL7472L1
IRL7472L1TRPBF Hakkında
IRL7472L1TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 375A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric L8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 0.59mOhm düşük on-state direnci sayesinde ısı kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 341W ısı dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, güç dönüştürme, motor sürücü devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 375A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20082 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 195A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok