Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL640STRR

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL640

IRL640STRR Hakkında

IRL640STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 5V sürüş geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate yükü 66nC olup, maksimum ±10V gate-source gerilimi uygulanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 125W güç disipasyonu kapasitesi ile dikkat çeken bileşen, uygun tercih edilmiş uygulamalarda uzun ömürlü performans sağlar. Not: Bu parça üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok