Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL640S

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL640S

IRL640S Hakkında

IRL640S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 180mΩ on-state direnç (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 4V-5V gate sürücü gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Düşük gate charge (66nC @ 5V) hızlı anahtarlama yapabilmesini sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yerine yeni tasarımlar önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok