Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL640PBF

MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRL640

IRL640PBF Hakkında

IRL640PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 17A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 125W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 4V-5V gate sürme gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok