Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL60SC216ARMA1

MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRL60SC216

IRL60SC216ARMA1 Hakkında

IRL60SC216ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 324A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışan endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. 375W (kasa sıcaklığında) maksimum güç dağıtma kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 324A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 218 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok