Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL60HS118

IRL60HS118 - 12V-300V N-CHANNEL

Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
IRL60HS118

IRL60HS118 Hakkında

IRL60HS118, Rochester Electronics tarafından üretilen 60V N-Channel MOSFET transistördür. 18.5A sürekli dren akımı ve 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybında anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 6-VDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Gate Charge değeri 8nC olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 11.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok