Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL60HS118
IRL60HS118 Hakkında
IRL60HS118, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 18.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Surface Mount 6-PQFN (2x2) paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 17mOhm on-resistance değerine sahip olup, düşük iletim kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Maksimum 11.5W güç tüketimi tolere edebilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve elektronik yükleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 11.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok