Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL60B216
IRL60B216 Hakkında
IRL60B216, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 60V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.9mOhm düşük on-resistance (Rds On) değeri ile ısı kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, endüstriyel motor kontrolü, inverter devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve elektrikli araç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 375W'a kadar güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok