Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL5602S
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL5602S
IRL5602S Hakkında
IRL5602S, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulur. 4.5V gate geriliminde 42mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. 75W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Düşük gate yükü (44nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok