Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL530NSTRR

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL530NS

IRL530NSTRR Hakkında

IRL530NSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi içerisinde gelmektedir. 100mΩ maksimum on-dirençi ve düşük gate charge değeri (34nC @ 5V) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Maksimum gate gerilimi ±20V ve eşik gerilimi 2V @ 250µA'dir. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok