Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL530NSPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL530N
IRL530NSPBF Hakkında
IRL530NSPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 79W güç taşıyabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok