Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL520NS
IRL520NSPBF Hakkında
IRL520NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V dayanımlı N-Channel MOSFET transistörüdür. 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 180mOhm maksimum dren-kaynak direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 20nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Endüstriyel kontrol, fotovoltaik uygulamaları ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok