Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL520NPBF

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRL520N

IRL520NPBF Hakkında

IRL520NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, 180mΩ on-state direnci (RDS-on) ile güç uygulamalarında düşük ısıl kayıplar sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) ve 48W maksimum güç tüketimi ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. ±16V gate-source gerilimi ile esneklik sunarken, 20nC gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için uygun tasarımlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok