Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL510STRL

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL510

IRL510STRL Hakkında

IRL510STRL, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 5.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 540mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özellikleri gösterir. Gate Charge değeri 6.1nC ve giriş kapasitansi 250pF'dir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 3.7W (Ta) ve 43W (Tc) maksimum güç dağılım kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. ±10V maksimum gate-source gerilim ile çalıştırılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok