Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL510
IRL510SPBF Hakkında
IRL510SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulur. 540mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gating capacitance 250pF, gate charge 6.1nC'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve maksimum 3.7W (Ta) güç tüketimi yapabilir. Anahtarlama uygulamalarında, motor kontrollerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok