Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL510S

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL510S

IRL510S Hakkında

IRL510S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 540mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. MOSFET yapısı sayesinde yüksek giriş empedansı ve hızlı anahtarlama özellikleri nedeniyle güç yönetimi, motor kontrol, PWM uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri sürücü gereksinimlerini minimize eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok