Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL40T209ATMA1
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL40T209ATMA1
IRL40T209ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRL40T209ATMA1, 40V drain-source voltajında 300A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerSFN (PG-HSOF-8) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 0.72mOhm (10V, 100A) on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu FET, maksimum 500W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 269 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.72mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok