Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL40S212ARMA1
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL40S212ARMA1
IRL40S212ARMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRL40S212ARMA1, 40V ve 195A sürekli drenaj akımına sahip bir N-Channel MOSFET'tir. Surface Mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, düşük gate charge (137 nC @ 4.5V) ve minimal RDS(on) değeriyle (1.9 mΩ @ 100A, 10V) karakterizedir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç elektroniksi, motorlu sistem kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve solenoid sürücüleri gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 231W güç tüketim kapasitesine ve ±20V gate-source gerilim toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.32 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok