Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL40B212
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL40B212
IRL40B212 Hakkında
IRL40B212, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, DC-DC konverterlerinde, motor sürücülerinde ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. 1.9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Geçiş hızlığı ve gate charge karakteristikleri sayesinde anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8320 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok