Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL40B209

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRL40B209

IRL40B209 Hakkında

IRL40B209, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paket türünde sunulmaktadır. 1.25mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayarak yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 375W maksimum güç dağıtımı ve 270nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15140 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok