Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL3803SPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL3803S

IRL3803SPBF Hakkında

IRL3803SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 140A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 6mΩ düşük RDS(On) değeri sayesinde enerji dönüştürme uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 140nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 71A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok