Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL3103STRLPBF

IRL3103 - HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL3103

IRL3103STRLPBF Hakkında

IRL3103STRLPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilim ile 64A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip bu bileşen, düşük 12mΩ on-state direnci (Rds On) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, 94W maksimum güç dağılımına ve 33nC gate charge karakteristiğine sahiptir. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiş tasarımıyla, hızlı anahtarlama ve düşük kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok