Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL2910SPBF

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRL2910S

IRL2910SPBF Hakkında

IRL2910SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim yeteneğine sahip olup, 25°C'de 55A sürekli dren akımı sağlayabilir. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 3.8W (Ta) güç tüketimi toleransına sahiptir. Gate charge değeri 140nC@5V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok