Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL2203NPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL2203N
IRL2203NPBF Hakkında
IRL2203NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V dren-kaynak gerilimi ve 116A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde temin edilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 180W güç tüketebilir. Through-hole montajı ile PCB tasarımında kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok