Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRL1404PBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRL1404

IRL1404PBF Hakkında

IRL1404PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 200W maksimum güç saçma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6590 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok