Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRL100HS121
IRL100HS121 Hakkında
IRL100HS121, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 6-PowerVDFN (2x2) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük 42mOhm on-state direnci sayesinde enerji verimliliğini artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V sürüş voltajlarında optimize edilmiş tasarımı hızlı anahtarlama ve düşük kapı yükü (5.6nC) özelliğini içerir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 11.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN Dual (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok